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可在1.9-400 K的温度范围（温控精确度±1%）、磁场从0-9特斯拉的范围： 1）用标准的四引线法测量样品的直流电阻率，每次可同时测量3个样品，全自动测量电阻率，霍尔系数，伏安特性和临界电流，也可非常方便用Van Der Pauw方法测量形状不规则但厚度均匀的样品的电阻率； 2）用于测量与角度有关的电输运和磁学性质，例如电阻率、霍尔效应、临界电流、伏安特性以及磁各向异性等； 3）测量具有各向异性的小样品（单晶、薄膜）的磁矩； 4）能够在PPMS提供的整个温度和场范围内测量样品的比热容； 5）测试样品的热膨胀系数或探测磁致伸缩效应； 6）能够对纳米级别的磁性薄膜进行高精度的铁磁共振测量，通过自带的分析软件可得到以下参数：饱和磁化强度（Ms），本征阻尼（α），非均匀展宽(ΔH)，旋磁比(γ/2π)。

1）温度范围： 1.9-400K 2）温度稳定性： ±0.1% (T<20K), ±0.02%(T>20K) (典型值) 3）磁场范围： ±9T, 4）高真空： <0.1mTorr 主要附件： 1）直流电阻测量选件： 外接仪表指标：最大输出电流1.5A直流、10A脉冲，从±5μV到±200V的直流电压； 内置输出电流量程：10 nA - 8 mA，最大电压4V，灵敏度20 nV，测量精度0.01%(典型值)，最大测量电阻4MΩ。 2）样品旋转杆选件：转角范围-10°- 370°， 转动步长0.013°， 转动速度最大10°/s， 转动回差< 5.0°。 3）扭矩磁强计选件： 扭矩背景噪音1×10-9 Nm(采样时间：40秒)， 磁矩灵敏度1×10-7 emu @ 9T(采样时间：40秒)， 扭矩测量范围±10-5 Nm，芯片尺寸6×6×1 mm3 ，安装样品区域2×2 mm ，最大样品尺寸1.5×1.5×0.5 mm3 ，最大样品质量10 mg； 4）比热测量选件：测量温度范围1.9K-400K，测量精度<5% @2K - 300K（典型值<2%），测量灵敏度:10 nJ/K @ 2 K，可测比热大小范围1 μJ/K – 100 mJ/K； 5）膨胀系数选件：理想样品尺寸：2±0.05×2.5×3 mm3，ΔL/L 分辨率 10-9(2mm样品)，低温分辨率<.1 Å； 6）高精度铁磁共振测量选件：温度范围5K-400K，频率范围2-40GHz ，可分辨1.4nm CoFeB薄膜，SNR > 10 @ 10 nm NiFe，样品最大尺寸17×13mm。

培训合格后可上机