低压化学气相沉积（LPCVD-SIN）
型号规格：c.HORICOO200
购买日期：2019-10-31
设备分类：工艺实验设备
设备小类：加工工艺实验设备
制造厂商：Centrotherm international AG
设备产地：德国
仪器状态：内外部共享
设备原值：1020万
实验地址：东莞市松山湖国际创新创业社区C1栋
服务价格(元/每小时)：1000
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检测技术服务
无-无,无-无,无-无
仪器可预约以下服务
样品加工
功能描述
1）样品尺寸：4“、6“、8“
2）温度：Si3N4：700℃-800℃
SINx：780℃-850℃
3）工艺压力：~200mtorr
4）气体种类：DCS、NH3
5）折射率：Si3N4：2.0±0.05
SINx：2.3±0.05
6）WIW：Si3N4：≤±4%； SINx：≤±4%(150nm)
7）WTW：Si3N4：≤±4%； SINx：≤±4%(150nm)
8）加工能力：6inch&4inch 25pcs/炉；
8inch 20pcs/炉；
技术指标
低压化学气相沉积（LPCVD）共4个炉管，其中St1主要用于DCS和NH3高温反应生成Si3N4和低应力SINx的LPCVD工艺，沉积生长氮化硅绝缘介质薄膜在半导体器件制造,薄膜加工,MEMS中有着广泛的应用。
注：（1）设备常规工艺温度，Si3N4为770℃，低应力SINx为784℃，需要其他温度工艺需额外说明。
上机要求
无
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